产品与方案

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MOSFET 应用方案

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单N

MOSFET
应用方案

HYG010N06NS1B6

HYG010N06NS1B6

此器件为60V、0.95mΩ、TO-263-6L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足如保护板，电机驱动等应用领域。

HYG010N06NS1B6产品说明书

特性

低内阻

优异的QG

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

提升系统效率

领先的封装工艺

优势

通态损耗小

抗冲击能力强

优异的导热及散热性能力

高可靠性

高功率密度

稳定的工艺能力

易安装

应用

电机驱动、锂电池保护板，电动工具

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