产品与方案

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SGT MOSFET

HYG050N08NS1P

HYG050N08NS1P

此器件为80V、4.0mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试 


优势

驱动损耗低

通态损耗小

抗冲击能力强

稳定的工艺能力

高可靠性


应用

电动车控制器,锂电池保护板,逆变器  

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